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全球首个大规模小间距微光电芯片项目落户鄂州!

发布时间:2019-06-21 阅读: 1 分享:
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  •   4月26日,鄂州市发改委官网发布,全球首个大规模小间距微光电(Mini/Micro LED)芯片项目落户鄂州葛店经济开发区,总投资120亿元。

      

      葛店开发区地处长江黄金水道南岸,紧邻“九省通衢”的大武汉,是武汉城市圈中最紧密的核心层。与武汉光谷广场的距离仅30公里,约15分钟车程,高新大道和武鄂高速公路的建成大大缩短了与武汉的时空距离。葛店开发区属于我国经济地理中心,距离北京、上海、广州、重庆等特大城市都在1000公里左右,距离郑州、南昌、长沙等省会城市都在500公里以内,具有面向全国的市场辐射能力。

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      微发光二极管体积是目前主流LED的1%,其优势在于既有高亮度、高可靠度及反应时间快等特点,又有自发光特性,易实现节能效果。据介绍,该项目占地700亩,由三安光电股份有限公司投资建设,并将得到国家集成电路产业大基金和湖北省长江产业基金的支持,项目建设周期3.5年,一期工程2年内投产。

      

      三安光电葛店基地项目建成达产后,将形成年产Mini LED芯片210万片、Micro LED芯片26万片的研发制造能力,产品主要提供给三星、华为、苹果等全球知名公司。

      

      全球首个大规模小间距微光电芯片项目落户鄂州!

      

      目前,鄂州市正协调各有关部门做好服务工作,确保三安光电葛店基地项目尽快投产达效。中电时空信息技术研究院有关专家表示,该项目是全球首个大规模基于第三代半导体、代表新型显示产业方向的光电芯片项目,对推动湖北乃至国家光电信息产业发展具有重要意义。

      

      4月26日,鄂州市发改委官网发布,全球首个大规模小间距微光电(Mini/Micro LED)芯片项目落户鄂州葛店经济开发区,总投资120亿元。

      

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